BSP51,115, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 60 В, 1 А, 1.25 Вт, SOT-223, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSP51,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BSP51,115, Биполярный транзистор ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.2
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJTБиполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 1 А, 1.25 Вт
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.2
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum base emitter saturation voltage1.9 V
maximum collector base voltage80 V
maximum collector cut-off current0.00005mA
maximum collector emitter saturation voltage1.3 V
maximum collector emitter voltage60 V
maximum continuous collector current1 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation1.25 W
minimum dc current gain1000
minimum operating temperature-65 °C
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeSOT-223
партномер8306936306
pin count3+Tab
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
Время загрузки1:09:18
width3.7mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль