BSP225.115
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторы и сборки биполярныеМОП-транзистор P-CH DMOS 250V 225MA
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.17 |
| Высота | 1.7 mm |
| Высота | 1.7 мм |
| Информация о производителе | |
| Производитель | NXP Semiconductor |
| Бренд | NXP Semiconductor |
| Основные | |
| Корпус | TO261 |
| base product number | BSP225 -> |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | P |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 225mA (Ta) |
| длина | 6.7 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 250V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| другие названия товара № | 9,34001E+11 |
| eccn | EAR99 |
| fet type | P-Channel |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 225 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 90pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| кол-во в упаковке | 1000 |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| maximum continuous drain current | 225 mA |
| maximum drain source resistance | 15 Ω |
| maximum drain source voltage | 250 V |
| maximum gate source voltage | -20 V, +20 V |
| maximum gate threshold voltage | 2.8V |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum power dissipation | 1.5 W |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum gate threshold voltage | 0.8V |
| minimum operating temperature | -65 °C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-261-4, TO-261AA |
| package type | SOT-223 |
| партномер | 8001785679 |
| pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | P-Channel |
| power dissipation (max) | 1.5W (Ta) |
| продукт | MOSFET Small Signal |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rds on (max) @ id, vgs | 15Ohm @ 200mA, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 10 Ohms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| supplier device package | SOT-223 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 P-Channel |
| торговая марка | Nexperia |
| transistor configuration | Single |
| transistor material | Si |
| упаковка / блок | SOT-223-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs(th) (max) @ id | 2.8V @ 1mA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.8 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 1:24:18 |
| Ширина | 3.7 мм |
| width | 3.7mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
