BSP19,115, Bipolar Transistors - BJT BSP19/SOT223/SC-73

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSP19,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BSP19,115, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.006
Высота1.7 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS HV TAPE-7
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.006
Высота1.7 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberBSP19 ->
current - collector cutoff (max)20nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce40 @ 20mA, 10V
длина6.7 mm
другие названия товара №9,33983E+11
eccnEAR99
frequency - transition70MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.40 at 20 mA, 10 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40 at 20 mA, 10 V
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
maximum collector base voltage400 V
maximum collector emitter voltage350 V
maximum dc collector current100 mA
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency70 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation1.2 W
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain40
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)400 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.350 V
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package typeSOT-223(SC-73)
партномер8005273976
pd - рассеивание мощности1200 mW
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max1.2W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)70 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
supplier device packageSOT-223
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-223-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 4mA, 50mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)350V
Время загрузки1:09:52
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль