Name: BSC057N08NS3GATMA1, TDSON-8/ SuperSO8
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
SKU: BSC057N08NS3GATMA1

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Infineon BSC057N08NS3GATMA1, TDSON-8/ SuperSO8

Подробное описание

Дата загрузки	22.02.2024
Информация о производителе
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Бренд	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные

Все характеристики

190 ₽

– +

Бонус: 3.8 !

Бонусная программа

Итого: 190 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

транзисторы полевые импортныеThe BSC057N08NS3 G is a 80V N-channel Power MOSFET that offers superior solutions for high efficiency and high power-density SMPS. The OptiMOS™ MOSFET offers industry's lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters. • Dual sided cooling• Low parasitic inductance• Low profile (<0.7mm)• Reduced switching and conduction losses• Very low on-resistance RDS(on)• Superior thermal resistance

Дата загрузки	22.02.2024
Информация о производителе
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Бренд	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
channel mode	Enhancement
channel type	N Channel
configuration	1 N-Channel
drain source on state resistance	0.0047Ом
factory pack quantity	5000
fall time	9 ns
forward transconductance - min	40 S
height	1.27 mm
id - continuous drain current	100 A
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
количество выводов	8вывод(-ов)
length	5.9 mm
максимальная рабочая температура	150°C
manufacturer	Infineon
maximum operating temperature	+150 C
minimum operating temperature	-55 C
монтаж транзистора	Surface Mount
mounting style	SMD/SMT
напряжение истока-стока vds	80В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	100А
number of channels	1 Channel
package / case	TDSON-8
packaging	Reel
партномер	8018900200
part # aliases	BSC057N08NS3 BSC057N08NS3GXT G SP000447542
pd - power dissipation	114 W
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	2.8В
power dissipation	114Вт
product category	MOSFET
qg - gate charge	56 nC
рассеиваемая мощность	114Вт
rds on - drain-source resistance	4.7 mOhms
rise time	14 ns
rohs	Details
series	OptiMOS 3
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0047Ом
стиль корпуса транзистора	TDSON
technology	Si
tradename	OptiMOS
transistor polarity	N-Channel
transistor type	1 N-Channel
typical turn-off delay time	32 ns
typical turn-on delay time	16 ns
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
vds - drain-source breakdown voltage	80 V
vgs - gate-source voltage	20 V
vgs th - gate-source threshold voltage	2 V
Время загрузки	3:24:22
width	5.15 mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

INFINEON TECHNOLOGIES AG.Транзисторы биполярные (BJTs)BSC057N08NS3GATMA1