Bipolar junction transistor, PNP, 600 mA, 60 V, SMD, SOT-23, SMBT2907AE6327

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SMBT2907AE6327
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Infineon Bipolar junction transistor, PNP, 600 mA ...
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
58
+
Бонус: 1.16 !
Бонусная программа
Итого: 58
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Power Semiconductors
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:1.6 V
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configuration:Single
continuous collector current:600 mA
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:45000
gain bandwidth product ft:200 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Infineon
maximum dc collector current:600 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
package/case:SOT-23-3
партномер8026839570
part # aliases:SMBT297AE6327XT SP000011181 SMBT2907AE6327HTSA1
pd - power dissipation:330 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
series:SMBT2907
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки3:18:34
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль