Semiconductors\Power Semiconductors\Bipolar TransistorsБиполярные транзисторы - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A
Дата загрузки
22.02.2024
Вес и габариты
Высота
1 mm
Информация о производителе
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
длина
2.9 mm
другие названия товара №
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327XT SP000011176
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
75 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 V
непрерывный коллекторный ток
600 mA
партномер
8026535665
pd - рассеивание мощности
330 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
300 MHz
размер фабричной упаковки
3000
серия
SMBT2222
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Infineon Technologies
упаковка / блок
SOT-23-3
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
3:18:34
Ширина
1.3 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26