BFU790F,115, RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFU790F,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BFU790F,115, RF Bipolar Transistors NPN ...
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0067
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
220
+
Бонус: 4.4 !
Бонусная программа
Итого: 220
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0067
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
automotiveNo
configurationSingle Dual Emitter
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
hts8541.21.00.75
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
materialSiGe
maximum 3rd order intercept point (dbm)34(Typ)
maximum collector base voltage (v)10
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter voltage range (v)<20
maximum collector-emitter voltage (v)02.08.2024
maximum dc collector current (a)0.1
maximum dc collector current range (a)0.06 to 0.12
maximum emitter base voltage (v)1
maximum noise figure (db)0.5(Typ)
maximum operating temperature (°c)150
maximum power 1db compression (dbm)20(Typ)
maximum power dissipation (mw)234
maximum transition frequency (mhz)25000(Typ)
militaryNo
minimum dc current gain235@10mA@2V
minimum dc current gain range200 to 300
minimum operating temperature (°c)-65
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
operational bias conditions2.5V/85mA
package height0.75(Max)
package length2.2(Max)
package width1.35(Max)
packagingTape and Reel
партномер8005273921
part statusActive
pcb changed3
pin count4
standard package nameDFP
supplier packageDFP
tabTab
typeNPN
typical input capacitance (pf)2.817
typical output capacitance (pf)0.527
typical power gain (db)21
Время загрузки1:20:56
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль