BFU730LXZ, RF Bipolar Transistors SiGe:C MMIC Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFU730LXZ
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BFU730LXZ, RF Bipolar Transistors SiGe:C MMIC ...
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0006
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0006
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
automotiveNo
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeNo Lead
materialSi
maximum 3rd order intercept point (dbm)25.5(Typ)
maximum collector base voltage (v)10
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter voltage range (v)<20
maximum collector-emitter voltage (v)3
maximum dc collector current (a)0.03
maximum dc collector current range (a)0.001 to 0.06
maximum emitter base voltage (v)01.03.2024
maximum noise figure (db)0.75(Typ)
maximum operating temperature (°c)150
maximum power 1db compression (dbm)11.7(Typ)
maximum power dissipation (mw)160
maximum transition frequency (mhz)53000(Typ)
minimum dc current gain205 2mA 2V
minimum dc current gain range200 to 300
minimum operating temperature (°c)-65
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
packagingTape and Reel
партномер8005273920
part statusActive
pcb changed3
pin count3
ppapNo
supplier packageDFN_C
typeNPN
typical input capacitance (pf)0.31
typical output capacitance (pf)0.084
typical power gain (db)24.05.2024
Время загрузки1:21:19
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль