BFU730LXZ, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 3 В, 53 ГГц, 160 мВт, 30 мА, SOT-883C
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFU730LXZ
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
РЧ биполярные транзисторы SiGe:C MMIC Transistor
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| configuration | Single |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 205 |
| конфигурация | Single |
| lead shape | No Lead |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 30 mA |
| material | Si |
| maximum 3rd order intercept point (dbm) | 25.5(Typ) |
| maximum collector base voltage (v) | 10 |
| maximum collector cut-off current (na) | 100 |
| maximum collector-emitter voltage range (v) | <20 |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 3 |
| maximum dc collector current (a) | 0.03 |
| maximum dc collector current range (a) | 0.001 to 0.06 |
| maximum emitter base voltage (v) | 1.3 |
| maximum noise figure (db) | 0.75(Typ) |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power 1db compression (dbm) | 11.7(Typ) |
| maximum power dissipation (mw) | 160 |
| maximum transition frequency (mhz) | 53000(Typ) |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 205 2mA 2V |
| minimum dc current gain range | 200 to 300 |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 1.3 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 10 V |
| непрерывный коллекторный ток | 5 mA |
| number of elements per chip | 1 |
| packaging | Tape and Reel |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 160 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | No |
| рабочая частота | 53 GHz |
| размер фабричной упаковки | 10000 |
| supplier package | DFN_C |
| технология | SiGe |
| тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| тип транзистора | Bipolar Wideband |
| торговая марка | NXP Semiconductors |
| type | NPN |
| typical input capacitance (pf) | 0.31 |
| typical output capacitance (pf) | 0.084 |
| typical power gain (db) | 24.5 |
| упаковка / блок | SOT-883C-3 |
| вес, г | 0.3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| выходная мощность | 11.7 dBm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26