BFU730F,115, Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFU730F,115
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Высота | 0.75 мм |
| Информация о производителе | |
| Производитель | NXP Semiconductor |
| Бренд | NXP Semiconductor |
| Основные | |
| automotive | No |
| collector- base voltage vcbo: | 10 V |
| collector- emitter voltage vceo max: | 2.8 V |
| configuration | Single Dual Emitter |
| continuous collector current: | 5 mA |
| dc collector/base gain hfe min: | 205 |
| dc current gain hfe max: | 555 |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo: | 1 V |
| eu rohs | Compliant |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 3000 |
| hts | 8541.21.00.75 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| manufacturer: | NXP |
| material | SiGe |
| maximum 3rd order intercept point (dbm) | 29(Typ) |
| maximum collector base voltage (v) | 10 |
| maximum collector cut-off current (na) | 100 |
| maximum collector-emitter voltage range (v) | <20 |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 02.08.2024 |
| maximum dc collector current (a) | 0.03 |
| maximum dc collector current range (a) | 0.001 to 0.06 |
| maximum emitter base voltage (v) | 1 |
| maximum noise figure (db) | 1.3(Typ) |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power 1db compression (dbm) | 12.5(Typ) |
| maximum power dissipation (mw) | 197 |
| maximum transition frequency (mhz) | 55000(Typ) |
| military | No |
| minimum dc current gain | 205@2mA@2V |
| minimum dc current gain range | 200 to 300 |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| mounting | Surface Mount |
| mounting style: | SMD/SMT |
| number of elements per chip | 1 |
| operating frequency: | 55 GHz |
| operational bias conditions | 2.5V/20mA |
| package / case: | SOT343F-4 |
| package height | 0.75(Max) |
| package length | 2.2(Max) |
| package width | 1.35(Max) |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8001222961 |
| part # aliases: | 9,34065E+11 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation: | 197 mW |
| pin count | 4 |
| product category: | RF Bipolar Transistors |
| product type: | RF Bipolar Transistors |
| рабочая частота | 55 GHz |
| standard package name | DFP |
| subcategory: | Transistors |
| supplier package | DFP |
| tab | Tab |
| technology: | SiGe |
| transistor type: | Bipolar |
| type | NPN |
| type: | RF Silicon Germanium |
| typical input capacitance (pf) | 0.442 |
| typical output capacitance (pf) | 0.055 |
| typical power gain (db) | 29 |
| Время загрузки | 1:21:21 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
