BFU630F,115

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BFU630F,115
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
220
+
Бонус: 4.4 !
Бонусная программа
Итого: 220
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
automotiveNo
configurationSingle Dual Emitter
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
materialSi
maximum 3rd order intercept point (dbm)27.5(Typ)
maximum collector base voltage (v)16
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter voltage range (v)<20
maximum collector-emitter voltage (v)05.05.2024
maximum dc collector current (a)0.03
maximum dc collector current range (a)0.001 to 0.06
maximum emitter base voltage (v)02.05.2024
maximum noise figure (db)1.3(Typ)
maximum operating temperature (°c)150
maximum power 1db compression (dbm)12.5(Typ)
maximum power dissipation (mw)200
maximum transition frequency (mhz)21000(Typ)
minimum dc current gain90 5mA 2V
minimum dc current gain range50 to 120
minimum operating temperature (°c)-65
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
operational bias conditions2.5V/30mA
packagingTape and Reel
партномер8007507941
part statusActive
pcb changed3
pin count4
ppapNo
standard package nameDFP
supplier packageDFP
tabTab
typeNPN
typical input capacitance (pf)0.332
typical output capacitance (pf)0.047
typical power gain (db)27
Время загрузки1:19:54
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль