BFU590QX, Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFU590QX
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BFU590QX, Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW ...
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > RF BJTRF TRANSISTOR, AUTO, NPN, 12V, SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:8GHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:60hFE; RF Transistor Case:SOT-89; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
collector- base voltage vcbo24 V
collector- emitter voltage vceo max16 V
configurationDual
continuous collector current80 mA
dc collector/base gain hfe min60
dc current gain hfe max130
emitter- base voltage vebo2 V
factory pack quantity1000
gain bandwidth product ft8 GHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerNXP
maximum dc collector current300 mA
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-40 C
mounting styleSMD/SMT
operating frequency900 MHz
operating temperature range-40 C to+150 C
package / caseSOT89-3
packagingCut Tape
партномер8003279478
pd - power dissipation2000 mW
product categoryRF Bipolar Transistors
rohsDetails
technologySi
transistor polarityNPN
transistor typeBipolar Wideband
typeWideband RF Transistor
unit weight0.001423 oz
Время загрузки1:20:13
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль