BFU580QX, RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFU580QX
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BFU580QX, RF Bipolar Transistors NPN wideband ...
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.3
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
290
+
Бонус: 5.8 !
Бонусная программа
Итого: 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.3
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
automotiveYes
частота перехода ft10.5ГГц
collector emitter voltage max12В
configurationSingle Dual Collector
continuous collector current30мА
dc current gain hfe min95hFE
dc ток коллектора30мА
dc усиление тока hfe95hFE
eccn (us)EAR99
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
корпус рч транзистораSOT-89
квалификацияAEC-Q101
lead shapeFlat
линейка продукцииBFU580Q
максимальная рабочая температура150 C
materialSi
maximum 3rd order intercept point (dbm)25.5(Typ)
maximum collector base voltage (v)30
maximum collector cut-off current (na)1(Typ)
maximum collector-emitter voltage range (v)<20
maximum collector-emitter voltage (v)16
maximum dc collector current (a)0.1
maximum dc collector current range (a)0.12 to 0.5
maximum emitter base voltage (v)3
maximum noise figure (db)1.3(Min)
maximum operating temperature (°c)150
maximum power 1db compression (dbm)16(Typ)
maximum power dissipation (mw)1000
maximum transition frequency (mhz)10500(Typ)
minimum dc current gain60@30mA@8V
minimum dc current gain range50 to 120
minimum operating temperature (°c)-40
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
напряжение коллектор-эмиттер12В
number of elements per chip1
operational bias conditions8V/30mA
packagingTape and Reel
партномер8005273914
part statusActive
pcb changed3
pin count4
полярность транзистораNPN
power dissipation1Вт
ppapYes
рассеиваемая мощность1Вт
standard package nameSOT
стандарты автомобильной промышленностиAEC-Q101
стиль корпуса транзистораSOT-89
supplier packageSOT-89
supplier temperature gradeAutomotive
tabTab
typeNPN
typical input capacitance (pf)01.03.2024
typical output capacitance (pf)01.01.2024
typical power gain (db)20
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки1:20:16
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль