BFU580GX, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 11 ГГц, 1 Вт, 30 мА, SOT-223
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFU580GX
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
РЧ биполярные транзисторы NPN wideband silicon RF transistor
| Вес и габариты | |
| automotive | Yes |
| configuration | Single Dual Emitter |
| диапазон рабочих температур | 40 C to + 150 C |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 130 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| material | Si |
| maximum 3rd order intercept point (dbm) | 25(Typ) |
| maximum collector base voltage (v) | 30 |
| maximum collector cut-off current (na) | 1(Typ) |
| maximum collector-emitter voltage range (v) | <20 |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 16 |
| maximum dc collector current (a) | 0.1 |
| maximum dc collector current range (a) | 0.12 to 0.5 |
| maximum emitter base voltage (v) | 3 |
| maximum noise figure (db) | 1.4(Min) |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power 1db compression (dbm) | 15.5(Typ) |
| maximum power dissipation (mw) | 1000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 11000(Typ) |
| минимальная рабочая температура | 40 C |
| minimum dc current gain | 60 30mA 8V |
| minimum dc current gain range | 50 to 120 |
| minimum operating temperature (°c) | -40 |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 2 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 24 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 16 V |
| непрерывный коллекторный ток | 30 mA |
| number of elements per chip | 1 |
| operational bias conditions | 8V/30mA |
| packaging | Tape and Reel |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| pin count | 4 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | Yes |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 11 GHz |
| рабочая частота | 900 MHz |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| standard package name | SC |
| supplier package | SC-73 |
| supplier temperature grade | Automotive |
| tab | Tab |
| технология | Si |
| тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| тип транзистора | Bipolar Wideband |
| торговая марка | NXP Semiconductors |
| Тип | Wideband RF Transistor |
| type | NPN |
| typical input capacitance (pf) | 1.5 |
| typical output capacitance (pf) | 1.1 |
| typical power gain (db) | 22.5 |
| упаковка / блок | SOT-223-4 |
| вес, г | 0.3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26