BFU550XRR, RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFU550XRR
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BFU550XRR, RF Bipolar Transistors NPN ...
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.3
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans RF BJT NPN 30V 0,08A 450 мВт Автомобильный 4-контактный SOT-143R T / R
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.3
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
automotiveYes
configurationSingle Dual Emitter
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
materialSi
maximum 3rd order intercept point (dbm)23(Typ)
maximum collector base voltage (v)30
maximum collector cut-off current (na)1(Typ)
maximum collector-emitter voltage range (v)<20
maximum collector-emitter voltage (v)30
maximum dc collector current (a)0.08
maximum dc collector current range (a)0.06 to 0.12
maximum emitter base voltage (v)3
maximum noise figure (db)1.25(Min)
maximum operating temperature (°c)150
maximum power 1db compression (dbm)13.5(Typ)
maximum power dissipation (mw)450
maximum transition frequency (mhz)11000(Typ)
minimum dc current gain60 15mA 8V
minimum dc current gain range50 to 120
minimum operating temperature (°c)-40
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
operational bias conditions8V/25mA
packagingTape and Reel
партномер8006239750
part statusActive
pcb changed4
pin count4
ppapUnknown
supplier packageSOT-143R
supplier temperature gradeAutomotive
typeNPN
typical input capacitance (pf)0.87
typical output capacitance (pf)0.41
typical power gain (db)26.5(Max)
Время загрузки1:20:17
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль