BFU530WX

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BFU530WX
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.3
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементRF TRANSISTOR, AUTO, NPN, 12V, SOT323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:11GHz; Power Dissipation Pd:450mW; DC Collector Current:40mA; DC Current Gain hFE:60hFE; RF Transistor Case:SOT-323; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.3
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
collector- base voltage vcbo24 V
collector- emitter voltage vceo max16 V
configurationDual
continuous collector current10 mA
dc collector/base gain hfe min60
dc current gain hfe max200
emitter- base voltage vebo2 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft11 GHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerNXP
maximum dc collector current65 mA
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-40 C
mounting styleSMD/SMT
operating frequency2 GHz
operating temperature range-40 C to+150 C
output power10 dBm
package / caseSOT323-3
packagingReel
партномер8002976943
pd - power dissipation450 mW
product categoryRF Bipolar Transistors
rohsDetails
seriesNPI Part Build_RF Transistors
technologySi
transistor polarityNPN
transistor typeBipolar Wideband
typeWideband RF Transistor
Время загрузки1:15:31
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль