BFU530AR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BFU530AR
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0555
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
18
+
Бонус: 0.36 !
Бонусная программа
Итого: 18
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы RF-широкополосныетранз: RF NPN-11ГГц 12V 40mA, 18dB, 450mВт
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0555
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
collector- base voltage vcbo24 V
collector- emitter voltage vceo max16 V
configurationDual
continuous collector current10 mA
dc collector/base gain hfe min60
dc current gain hfe max200
emitter- base voltage vebo2 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft11 GHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerNXP
maximum dc collector current65 mA
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-40 C
mounting styleSMD/SMT
operating frequency900 MHz
operating temperature range-40 C to+150 C
package / caseSOT23-3
packagingReel
партномер8023500105
pd - power dissipation450 mW
product categoryRF Bipolar Transistors
рабочая частота900 MHz
rohsDetails
seriesNPI Part Build_RF Transistors
technologySi
transistor polarityNPN
transistor typeBipolar Wideband
typeWideband RF Transistor
unit weight0.00031 oz
Время загрузки1:23:28
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль