BFS20

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BFS20
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
98
+
Бонус: 1.96 !
Бонусная программа
Итого: 98
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Transition Frequency ft:275MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:25mA; DC Current Gain hFE:85hFE; RF Transistor Case:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Continuous Collector Current Ic:25mA; Continuous Collector Current Ic Max:25mA; Current Ic Continuous a Max:25mA; Current Ic hFE:7mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Typ:450MHz; Hfe Min:40; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:250mW; SMD Marking:G1; Termination Type:Surface Mount Device; Transistor Case Style:SOT-23; Voltage Vcbo:30V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
base part numberBFS20
base product numberBFS20 ->
частота перехода ft275МГц
collector emitter voltage max20В
continuous collector current25мА
current - collector cutoff (max)100nA(ICBO)
current - collector (ic) (max)25mA
dc current gain hfe min85hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce40 @ 7mA, 10V
dc ток коллектора25мА
dc усиление тока hfe85hFE
eccnEAR99
frequency - transition450MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
корпус рч транзистораSOT-23
максимальная рабочая температура150°C
manufacturerNexperia USA Inc.
maximum collector base voltage30 V
maximum collector emitter voltage20 V
maximum dc collector current25 mA
maximum emitter base voltage4 V
maximum operating frequency450 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation250 mW
minimum dc current gain40
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение коллектор-эмиттер20В
number of elements per chip1
operating temperature150В°C(TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23(TO-236AB)
packagingCut Tape(CT)
партномер8007917703
part statusActive
pin count3
полярность транзистораNPN
power dissipation250мВт
power - max250mW
рабочая частота450 MHz
рассеиваемая мощность250мВт
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
series-
стиль корпуса транзистораSOT-23
supplier device packageTO-236AB
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic-
voltage - collector emitter breakdown (max)20V
Время загрузки1:21:24
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль