BFS17NTA, RF Bipolar Transistors SINGLE NPN 3.2GHz 50mA 330mw
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFS17NTA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF TransistorsTrans RF BJT NPN 11V 0.05A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.01 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DIODES INC. |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| automotive | No |
| частота перехода ft | 3.2ГГц |
| collector- emitter voltage vceo max: | 11 V |
| configuration | Single |
| configuration: | Single |
| continuous collector current: | 50 mA |
| dc collector/base gain hfe min: | 56 at 5 mA, 10 V |
| dc ток коллектора | 50мА |
| dc усиление тока hfe | 56hFE |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo: | 3 V |
| eu rohs | Compliant |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 3000 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| корпус рч транзистора | SOT-23 |
| квалификация | - |
| lead shape | Gull-wing |
| линейка продукции | - |
| максимальная рабочая температура | 150°C |
| manufacturer: | Diodes Incorporated |
| maximum collector base voltage (v) | 20 |
| maximum collector cut-off current (na) | 500 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.5 5mA 25mA |
| maximum collector-emitter voltage range (v) | <20 |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 11 |
| maximum dc collector current (a) | 0.05 |
| maximum dc collector current range (a) | 8 to 100 |
| maximum emitter base voltage (v) | 3 |
| maximum emitter cut-off current (na) | 500 |
| maximum junction ambient thermal resistance | 403 C/W |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 350 |
| maximum transition frequency (mhz) | 3200(Typ) |
| minimum dc current gain | 56 5mA 10V |
| minimum dc current gain range | 50 to 120 |
| minimum operating temperature: | -55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting | Surface Mount |
| mounting style: | SMD/SMT |
| напряжение коллектор-эмиттер | 11В |
| number of elements per chip | 1 |
| operating frequency: | 3.2 GHz |
| package / case: | SOT-23-3 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8004841607 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation: | 310 mW |
| pin count | 3 |
| полярность транзистора | NPN |
| power dissipation | 310мВт |
| ppap | No |
| product category: | RF Bipolar Transistors |
| product type: | RF Bipolar Transistors |
| рассеиваемая мощность | 310мВт |
| series: | BFS17 |
| standard package name | SOT-23 |
| стандарты автомобильной промышленности | - |
| стиль корпуса транзистора | SOT-23 |
| subcategory: | Transistors |
| supplier package | SOT-23 |
| supplier temperature grade | Automotive |
| technology: | Si |
| transistor polarity: | NPN |
| transistor type: | Bipolar |
| type | NPN |
| typical output capacitance (pf) | 0.8 |
| Время загрузки | 22:23:50 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
