Name: BFR93AE6327HTSA1
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Infineon BFR93AE6327HTSA1

Подробное описание

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.05
Высота	1 mm
Информация о производителе
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Все характеристики

110 ₽

– +

Бонус: 2.2 !

Бонусная программа

Итого: 110 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементRF TRANSISTOR, NPN, 12V, 6GHZ, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:6GHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:90mA; DC Current Gain hFE:70hFE; RF Transistor Case:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.05
Высота	1 mm
Информация о производителе
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Бренд	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
aec qualified number	AEC-Q101
automotive	Yes
длина	2.9 mm
другие названия товара №	BFR 93A E6327 SP000011066
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	РЧ биполярные транзисторы
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	70 at 30 mA at 8 V
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	0.09 A
maximum collector base voltage	20 V
maximum collector emitter voltage	12 V
maximum dc collector current	90 mA
maximum emitter base voltage	2 V
maximum operating frequency	6 GHz
maximum operating temperature	+150 °C
maximum power dissipation	300 mW
maximum power dissipation - (mw)	300
military	No
минимальная рабочая температура	65 C
minimum dc current gain	70@30mA@8V
minimum dc current gain range	50 to 120
mounting type	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	2 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	12 V
number of elements per chip	1
operating temperature - (??c)	-55~150
operational bias conditions	8V/30mA
package type	SOT-23
packaging	Tape and Reel
партномер	8002012552
pd - рассеивание мощности	300 mW
pin count	3
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	6000 MHz
размер фабричной упаковки	3000
серия	BFR93
standard package name	SOT-23
supplier package	SOT-23
технология	Si
тип продукта	RF Bipolar Transistors
тип транзистора	Bipolar
торговая марка	Infineon Technologies
transistor configuration	Single
transistor type	NPN
Тип	RF Bipolar Small Signal
упаковка / блок	SOT-23-3
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	3:24:00
Ширина	1.3 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

INFINEON TECHNOLOGIES AG.Транзисторы биполярные (BJTs)BFR93 BFR93AE6327HTSA1