BFR740L3RHE6327XTSA1, RF Bipolar Transistors NPN Silicn Germanium RF Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFR740L3RHE6327XTSA1
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Infineon BFR740L3RHE6327XTSA1, RF Bipolar Transistors ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.006
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
RF TRANSISTOR, NPN, 4V, 47GHZ, TSLP; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:4V; Transition Frequency ft:47GHz; Power Dissipation Pd:160mW; DC Collector Current:40mA; DC Current Gain hFE:160hFE; RF Transistor Case:TSLP; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.006
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
aec qualified numberAEC-Q101
automotiveYes
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector emitter voltage4 V
maximum dc collector current40 mA
maximum power dissipation - (mw)160
militaryNo
minimum dc current gain160@25mA@3V
minimum dc current gain range120 to 200
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operating temperature - (??c)-65~150
operational bias conditions3V/25mA
package typeTSLP-3-9
packagingTape and Reel
партномер8006227471
pin count3
standard package nameTSLP
supplier packageTSLP
transistor typeNPN
Время загрузки3:18:30
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль