BFR360FH6327XTSA1, BFR360FH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 35 mA, 6 V, 3-Pin TSFP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFR360FH6327XTSA1
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Infineon BFR360FH6327XTSA1, BFR360FH6327XTSA1 NPN RF ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г15
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
26
+
Бонус: 0.52 !
Бонусная программа
Итого: 26
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsРЧ-транзистор NPN 9V 35mA 14GHz 210mW Surface Mount PG-TSFP-3
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г15
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
base product numberBFR360 ->
current - collector (ic) (max)35mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce90 @ 15mA, 3V
eccnEAR99
frequency - transition14GHz
gain15.5dB
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector base voltage15 V
maximum collector emitter voltage6 V
maximum dc collector current35 mA
maximum emitter base voltage2 V
maximum operating frequency14 GHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation210 mW
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
noise figure (db typ @ f)1dB @ 1.8GHz
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-723
package typeTSFP
партномер8010649036
pin count3
power - max210mW
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packagePG-TSFP-3
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
voltage - collector emitter breakdown (max)9V
Время загрузки3:19:05
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль