BFR193WH6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 8 ГГц, 580 мВт, 80 мА, SOT-323

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFR193WH6327XTSA1
РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTOR
Вес и габариты
base product numberBFR193 ->
current - collector (ic) (max)80mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce70 @ 30mA, 8V
80
+
Бонус: 1.6 !
Бонусная программа
Итого: 80
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTOR
Вес и габариты
base product numberBFR193 ->
current - collector (ic) (max)80mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce70 @ 30mA, 8V
другие названия товара №BFR 193W H6327 SP000734404
eccnEAR99
frequency - transition8GHz
gain10.5dB ~ 16dB
htsus8541.21.0075
категория продуктаРЧ биполярные транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
noise figure (db typ @ f)1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-70, SOT-323
подкатегорияTransistors
power - max580mW
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packagePG-SOT323-3
технологияSi
тип продуктаRF Bipolar Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
transistor typeNPN
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокSOT-323-3
вес, г0.004
voltage - collector emitter breakdown (max)12V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль