BFR193E6327HTSA1, RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFR193E6327HTSA1
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Infineon BFR193E6327HTSA1, RF Bipolar Transistors NPN ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
РЧ биполярные транзисторы NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
aec qualified numberAEC-Q101
automotiveYes
base product numberBFR193 ->
current - collector (ic) (max)80mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce70 @ 30mA, 8V
длина2.9 mm
другие названия товара №BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327XT SP000011056
eccnEAR99
factory pack quantity3000
frequency - transition8GHz
gain10dB ~ 15dB
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаРЧ биполярные транзисторы
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.70 at 30 mA at 8 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)70
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.08 A
manufacturerInfineon
maximum collector base voltage20 V
maximum collector emitter voltage12 V
maximum dc collector current80 mA
maximum emitter base voltage2 V
maximum operating frequency8 GHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation580 mW
maximum power dissipation - (mw)580
militaryNo
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain70@30mA@8V
minimum dc current gain range50 to 120
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)2 V
напряжение коллектор-база (vcbo)20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.12 V
непрерывный коллекторный ток0.08 A
noise figure (db typ @ f)1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
operating temperature - (??c)-55~150
operational bias conditions8V/30mA
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23
packagingCut Tape or Reel
партномер8006262218
part # aliases193 BFR BFR193E6327XT E6327 SP000011056
pd - рассеивание мощности580 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max580mW
product categoryRF Bipolar Transistors
product typeRF Bipolar Transistors
рабочая частота8000 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesBFR193
серияBFR193
standard package nameSOT-23
subcategoryTransistors
supplier device packageSOT-23-3
supplier packageSOT-23
technologySi
технологияSi
тип продуктаRF Bipolar Transistors
тип транзистораBipolar
торговая маркаInfineon Technologies
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
ТипRF Bipolar Small Signal
упаковка / блокSOT-23
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)12V
Время загрузки3:18:12
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль