BFR193E6327HTSA1, RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFR193E6327HTSA1
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
РЧ биполярные транзисторы NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
Дата загрузки | 22.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 1 |
Высота | 1 mm |
Информация о производителе | |
Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
Бренд | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
Основные | |
aec qualified number | AEC-Q101 |
automotive | Yes |
base product number | BFR193 -> |
current - collector (ic) (max) | 80mA |
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 70 @ 30mA, 8V |
длина | 2.9 mm |
другие названия товара № | BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327XT SP000011056 |
eccn | EAR99 |
factory pack quantity | 3000 |
frequency - transition | 8GHz |
gain | 10dB ~ 15dB |
htsus | 8541.21.0075 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 70 at 30 mA at 8 V |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
конфигурация | Single |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 0.08 A |
manufacturer | Infineon |
maximum collector base voltage | 20 V |
maximum collector emitter voltage | 12 V |
maximum dc collector current | 80 mA |
maximum emitter base voltage | 2 V |
maximum operating frequency | 8 GHz |
maximum operating temperature | +150 °C |
maximum power dissipation | 580 mW |
maximum power dissipation - (mw) | 580 |
military | No |
минимальная рабочая температура | 65 C |
minimum dc current gain | 70@30mA@8V |
minimum dc current gain range | 50 to 120 |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting type | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 2 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 20 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 12 V |
непрерывный коллекторный ток | 0.08 A |
noise figure (db typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
number of elements per chip | 1 |
operating temperature | 150В°C (TJ) |
operating temperature - (??c) | -55~150 |
operational bias conditions | 8V/30mA |
package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
package / case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
package type | SOT-23 |
packaging | Cut Tape or Reel |
партномер | 8006262218 |
part # aliases | 193 BFR BFR193E6327XT E6327 SP000011056 |
pd - рассеивание мощности | 580 mW |
pin count | 3 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | NPN |
power - max | 580mW |
product category | RF Bipolar Transistors |
product type | RF Bipolar Transistors |
рабочая частота | 8000 MHz |
размер фабричной упаковки | 3000 |
reach status | REACH Unaffected |
rohs status | ROHS3 Compliant |
series | BFR193 |
серия | BFR193 |
standard package name | SOT-23 |
subcategory | Transistors |
supplier device package | SOT-23-3 |
supplier package | SOT-23 |
technology | Si |
технология | Si |
тип продукта | RF Bipolar Transistors |
тип транзистора | Bipolar |
торговая марка | Infineon Technologies |
transistor configuration | Single |
transistor type | NPN |
Тип | RF Bipolar Small Signal |
упаковка / блок | SOT-23 |
вид монтажа | SMD/SMT |
voltage - collector emitter breakdown (max) | 12V |
Время загрузки | 3:18:12 |
Ширина | 1.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26