BFR 35AP E6327

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\РЧ транзисторы\РЧ биполярные транзисторыРЧ биполярные транзисторы NPN Silicon RF TRANSISTOR
Вес и габариты
длина2.9 mm
другие названия товара №BFR35APE6327HTSA1 BFR35APE6327XT SP000011060
Высота 1 мм
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\РЧ транзисторы\РЧ биполярные транзисторыРЧ биполярные транзисторы NPN Silicon RF TRANSISTOR
Вес и габариты
длина2.9 mm
другие названия товара №BFR35APE6327HTSA1 BFR35APE6327XT SP000011060
Высота 1 мм
категория продуктаРЧ биполярные транзисторы
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.70 at 15 mA at 8 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.045 A
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)2.5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.15 V
pd - рассеивание мощности280 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
рабочая частота5000 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияBFR35
технологияSi
тип продуктаRF Bipolar Transistors
тип транзистораBipolar
торговая маркаInfineon Technologies
ТипRF Bipolar Small Signal
упаковка / блокSOT-23
вес, г0.008
вид монтажаSMD/SMT
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль