BFP840FESDH6327XTSA1, BFP840FESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 35 mA, 2.25 V, 4-Pin TSFP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFP840FESDH6327XTSA1
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Infineon BFP840FESDH6327XTSA1, BFP840FESDH6327XTSA1 ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
55
+
Бонус: 1.1 !
Бонусная программа
Итого: 55
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsThe BFP840FESD is a high performance HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) specifically designed for 5-6 GHz WiFi applications.
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
другие названия товара №BFP 840FESD H6327 SP000977846
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаРЧ биполярные транзисторы
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
maximum collector base voltage2.9 V
maximum collector emitter voltage2.25 V
maximum dc collector current35 mA
maximum operating frequency85 GHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation75 mW
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)2.6 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.2.25 V
непрерывный коллекторный ток35 mA
number of elements per chip1
package typeTSFP
партномер8014496533
pd - рассеивание мощности75 mW
pin count4
подкатегорияTransistors
рабочая частота85 GHz
размер фабричной упаковки3000
серияBFP840FESD
технологияSiGe
тип продуктаRF Bipolar Transistors
тип транзистораBipolar
торговая маркаInfineon Technologies
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
ТипRF Silicon Germanium
упаковка / блокTSFP-4
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки3:17:00
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль