BFP840ESDH6327XTSA1, RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFP840ESDH6327XTSA1
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Infineon BFP840ESDH6327XTSA1, RF Bipolar Transistors ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
RF TRANSISTOR, NPN, 2.25V, 80GHZ, SOT343; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:2.25V; Transition Frequency ft:80GHz; Power Dissipation Pd:75mW; DC Collector Current:35mA; DC Current Gain hFE:150hFE; RF Transistor Case:SOT-343; No. of Pins:4Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
aec qualified numberAEC-Q101
automotiveYes
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum power dissipation - (mw)75
militaryNo
minimum dc current gain150@10mA@1.8V
minimum dc current gain range120 to 200
number of elements per chip1
operating temperature - (??c)-55~150
operational bias conditions1.8V/10mA
packagingTape and Reel
партномер8006365699
pin count4
standard package nameSOT-343
supplier packageSOT-343
Время загрузки3:17:00
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль