Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTРЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTORS

Подробное описание

Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage	5V
другие названия товара №	SP000762244 BFP41H6327XT BFP410H6327XTSA1
категория продукта	РЧ биполярные транзисторы

88 ₽

– +

Бонус: 1.76 !

Бонусная программа

Итого: 88 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTРЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTORS

Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage	5V
другие названия товара №	SP000762244 BFP41H6327XT BFP410H6327XTSA1
категория продукта	РЧ биполярные транзисторы
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	60
максимальная рабочая температура	+ 150 C
manufacturer	Infineon Technologies
maximum dc collector current	40mA
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	1.5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	4.5 V
непрерывный коллекторный ток	40 mA
package / case	SOT-343
packaging	Tape и Reel(TR)
pd - power dissipation	150mW
pd - рассеивание мощности	150 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
рабочая частота	25 GHz
размер фабричной упаковки	3000
серия	BFP410
технология	Si
тип продукта	RF Bipolar Transistors
тип транзистора	Bipolar
торговая марка	Infineon Technologies
transistor type	NPN
Тип	RF Bipolar Small Signal
упаковка / блок	SOT-343
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Кнопки

BFP410H6327