BFP196WNH6327XTSA1, BFP196WNH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 150 mA, 12 V, 4-Pin SOT-343

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFP196WNH6327XTSA1
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Infineon BFP196WNH6327XTSA1, BFP196WNH6327XTSA1 NPN RF ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
55
+
Бонус: 1.1 !
Бонусная программа
Итого: 55
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsThe Infineon NPN silicon planar epitaxial transistor in 4-pin dual-emitter SOT343 package for low noise and low distortion wideband amplifiers.
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
base product numberBFP196 ->
частота перехода ft7.5ГГц
collector emitter voltage max12В
collector- emitter voltage vceo max:12 V
configuration:Single
continuous collector current150мА
continuous collector current:150 mA
current - collector (ic) (max)150mA
dc collector/base gain hfe min:70
dc current gain hfe min70hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce70 @ 50mA, 8V
dc ток коллектора150мА
dc усиление тока hfe70hFE
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo:2 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
frequency - transition7.5GHz
gain9.7dB
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов4вывод(-ов)
корпус рч транзистораSOT-343
максимальная рабочая температура150°C
manufacturer:Infineon
maximum collector emitter voltage12 V
maximum dc collector current150 mA
maximum dc collector current:150 mA
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation - (mw)700
minimum dc current gain70@50mA@8V
minimum dc current gain range50 to 120
minimum operating temperature:-55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение коллектор-эмиттер12В
noise figure (db typ @ f)1.3dB @ 900MHz
number of elements per chip1
operating frequency:7.5 GHz
operating temperature150В°C (TJ)
operational bias conditions8V/50mA
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-82A, SOT-343
package / case:SOT-343-4
package typeSOT-343
packaging:Reel, Cut Tape
партномер8014555804
part # aliases:BFP 196 WN H6327 SP001643166
pd - power dissipation:700 mW
pin count4
полярность транзистораNPN
power dissipation700мВт
power - max700mW
product category:RF Bipolar Transistors
product type:RF Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
рассеиваемая мощность700мВт
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
standard package nameSOT-343
стиль корпуса транзистораSOT-343
subcategory:Transistors
supplier device packagePG-SOT343-4
supplier packageSOT-343
technology:Si
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
transistor type:Bipolar Wideband
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
voltage - collector emitter breakdown (max)12V
Время загрузки3:17:11
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль