BFP193E6327HTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 8 ГГц, 580 мВт, 80 мА, SOT-143

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFP193E6327HTSA1
РЧ биполярные транзисторы NPN Silicon RF TRANSISTOR
Вес и габариты
base product numberBFP193 ->
current - collector (ic) (max)80mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce70 @ 30mA, 8V
78
+
Бонус: 1.56 !
Бонусная программа
Итого: 78
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
РЧ биполярные транзисторы NPN Silicon RF TRANSISTOR
Вес и габариты
base product numberBFP193 ->
current - collector (ic) (max)80mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce70 @ 30mA, 8V
другие названия товара №193 BFP BFP193E6327XT E6327 SP000011024
eccnEAR99
frequency - transition8GHz
gain12dB ~ 18dB
htsus8541.21.0075
категория продуктаРЧ биполярные транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
noise figure (db typ @ f)1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-253-4, TO-253AA
подкатегорияTransistors
power - max580mW
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияBFP193
supplier device packagePG-SOT143-4
технологияSi
тип продуктаRF Bipolar Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-143-4
вес, г0.227
voltage - collector emitter breakdown (max)12V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль