Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\РЧ транзисторы\РЧ биполярные транзисторыРЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTOR

Подробное описание

Вес и габариты
другие названия товара №:	SP000750406 BFP65H6327XT BFP650H6327XTSA1
категория продукта:	РЧ биполярные транзисторы
напряжение эмиттер-база (vebo):	1.2 V

Все характеристики

150 ₽

– +

Бонус: 3 !

Бонусная программа

Итого: 150 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
другие названия товара №:	SP000750406 BFP65H6327XT BFP650H6327XTSA1
категория продукта:	РЧ биполярные транзисторы
напряжение эмиттер-база (vebo):	1.2 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:	4 V
непрерывный коллекторный ток:	150 mA
pd - рассеивание мощности:	500 mW (1/2 W)
подкатегория:	Transistors
производитель:	infineon
рабочая частота:	37 GHz
размер фабричной упаковки:	3000
серия:	BFP650
технология:	SiGe
тип:	RF Silicon Germanium
тип продукта:	RF Bipolar Transistors
тип транзистора:	Bipolar
торговая марка:	Infineon Technologies
упаковка / блок:	SOT-343
вес, г	0.031
вид монтажа:	SMD/SMT

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

BFP 650 H6327