BFN27E6327HTSA1, Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Hi-Volt TRANSISTORS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFN27E6327HTSA1
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Infineon BFN27E6327HTSA1, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
46
+
Бонус: 0.92 !
Бонусная программа
Итого: 46
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.2 А, 0.36 Вт
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
collector- base voltage vcbo:300 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:300 V
configuration:Single
continuous collector current:200 mA
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Infineon
maximum dc collector current:200 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23-3
партномер8005238733
part # aliases:BFN 27 E6327 SP000014782
pd - power dissipation:360 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
series:BFN27
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки3:19:26
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль