BFN26, Транзистор: NPN, биполярный, 300В, 0,2А, 0,36Вт, SOT23
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFN26E6327Артикул: BFN26E6327HTSA1
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMDБиполярные транзисторы - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.03 |
| Высота | 1 mm |
| Высота | 1 мм |
| Информация о производителе | |
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
| Бренд | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
| Основные | |
| automotive | Yes |
| configuration | Single |
| длина | 2.9 mm |
| другие названия товара № | 26 BFN BFN26E6327XT E6327 SP000014785 |
| eccn (us) | EAR99 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 0.9@2mA@20mA |
| maximum collector base voltage (v) | 300 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.5@2mA@20mA |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 300 |
| maximum dc collector current (a) | 0.2 |
| maximum emitter base voltage (v) | 6 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 360 |
| maximum transition frequency (mhz) | 70(Typ) |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 25@1mA@10V|40@10mA@10V|30@30mA@10V |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 300 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 300 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| number of elements per chip | 1 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8002543638 |
| part status | LTB |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | Unknown |
| product category | Bipolar Small Signal |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 70 MHz |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| серия | BFN26 |
| standard package name | SOT |
| supplier package | SOT-23 |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 3:19:28 |
| Ширина | 1.3 мм |
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.03 |
| Высота | 1 mm |
| Высота | 1 мм |
| Информация о производителе | |
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
| Бренд | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
| Основные | |
| automotive | Yes |
| configuration | Single |
| длина | 2.9 mm |
| другие названия товара № | 26 BFN BFN26E6327XT E6327 SP000014785 |
| eccn (us) | EAR99 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 0.9@2mA@20mA |
| maximum collector base voltage (v) | 300 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.5@2mA@20mA |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 300 |
| maximum dc collector current (a) | 0.2 |
| maximum emitter base voltage (v) | 6 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 360 |
| maximum transition frequency (mhz) | 70(Typ) |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 25@1mA@10V|40@10mA@10V|30@30mA@10V |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 300 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 300 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| number of elements per chip | 1 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8002543638 |
| part status | LTB |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | Unknown |
| product category | Bipolar Small Signal |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 70 MHz |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| серия | BFN26 |
| standard package name | SOT |
| supplier package | SOT-23 |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 3:19:28 |
| Ширина | 1.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
