BF821,215, Bipolar Transistors - BJT BF821/SOT23/TO-236AB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BF821,215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BF821,215, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
100
+
Бонус: 2 !
Бонусная программа
Итого: 100
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS HV TAPE-7
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
collector- base voltage vcbo300 V
collector- emitter voltage vceo max-300 V
configurationSingle
continuous collector current-50 mA
dc collector/base gain hfe min50
dc current gain hfe max50 at 25 mA at 20 V
длина3 mm
другие названия товара №BF821 T/R
emitter- base voltage vebo-5 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft60 MHz
height1 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.50 at 25 mA at 20 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50
кол-во в упаковке3000
конфигурацияSingle
length3 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
manufacturerNEXPERIA
maximum collector base voltage300 V
maximum collector emitter voltage-300 V
maximum dc collector current-100 mA
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency60 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation250 mW
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain50
minimum operating temperature-65 C
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)300 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.300 V
непрерывный коллекторный ток50 mA
number of elements per chip1
package / caseSOT-23-3
package typeSOT-23(TO-236AB)
packagingReel
партномер8005273885
part # aliasesBF821 T/R
pd - power dissipation250 mW
pd - рассеивание мощности250 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
product categoryBipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)60 MHz
размер фабричной упаковки3000
rohsDetails
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки23:07:34
Ширина1.4 мм
width1.4 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль