BF820,215, Package/Enclosure SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BF820,215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BF820,215, Package/Enclosure SOT23
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
21
+
Бонус: 0.42!
Бонусная программа
Итого: 21
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярный (BJT) транзистор NPN 300V 50mA 60MHz 250mW Surface Mount TO-236AB
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberBF820 ->
collector-emitter breakdown voltage300V
current - collector cutoff (max)10nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)50mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce50 @ 25mA, 20V
eccnEAR99
frequency - transition60MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector base voltage300 V
maximum collector emitter voltage300 V
maximum dc collector current50mA
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation250 mW
minimum dc current gain50
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23
партномер8003790036
pd - power dissipation250mW
pin count3
power - max250mW
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
supplier device packageTO-236AB
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic600mV @ 5mA, 30mA
voltage - collector emitter breakdown (max)300V
Время загрузки14:25:02
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль