BDX53B

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics BDX53B
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
390
+
Бонус: 7.8 !
Бонусная программа
Итого: 390
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Дата загрузки18.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
collector- base voltage vcbo80 V
collector- emitter voltage vceo max80 V
configurationSingle
continuous collector current8 A
dc collector/base gain hfe min750
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity1000
height9.15 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length10.4 mm
manufacturerSTMicroelectronics
maximum base emitter saturation voltage2.5 V
maximum collector base voltage80 V
maximum collector cut-off current200 uA
maximum collector emitter saturation voltage2 V
maximum collector emitter voltage80 V
maximum continuous collector current8 A
maximum dc collector current8 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 C
minimum dc current gain750
minimum operating temperature-65 °C
mounting styleThrough Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
package / caseTO-220-3
package typeTO-220
packagingTube
партномер8005957170
pd - power dissipation60 W
pin count3
product categoryDarlington Transistors
rohsDetails
seriesDarlingtons
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
Время загрузки13:57:18
width4.6 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль