BDX33CG, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 10А, 70Вт, TO220AB
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BDX33CG
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы Дарлингтона\Транзисторы Дарлингтона NPN THTТранзисторы Дарлингтона 10A 100V Bipolar Power NPN
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 2 |
| Высота | 15.75 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| collector-emitter saturation voltage | 2.5(V) |
| configuration | Single |
| длина | 10.53 mm |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Транзисторы Дарлингтона |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 750 |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| максимальный ток отсечки коллектора | 1000 uA |
| maximum collector base voltage | 100 V |
| maximum collector cut-off current | 1000 |
| maximum collector emitter saturation voltage | 2.5 V |
| maximum collector emitter voltage | 100 V |
| maximum continuous collector current | 10 A |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 750 |
| minimum operating temperature | -65 °C |
| mounting | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 100 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 100 V |
| непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| number of elements | 1 |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature classification | Military |
| operating temp range | -65C to 150C |
| package type | TO-220AB |
| packaging | Rail/Tube |
| партномер | 8002562433 |
| pd - рассеивание мощности | 40 W |
| pin count | 3+Tab |
| подкатегория | Transistors |
| polarity | NPN |
| полярность транзистора | NPN |
| power dissipation | 70(W) |
| rad hardened | No |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| серия | BDX33C |
| тип продукта | Darlington Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor configuration | Single |
| transistor type | NPN |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| вид монтажа | Through Hole |
| Время загрузки | 0:55:18 |
| Ширина | 4.83 мм |
| width | 4.82mm |
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
