BDV65BG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BDV65BG
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г08.05.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
540
+
Бонус: 10.8 !
Бонусная программа
Итого: 540
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-247; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:125W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:1000hFE; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Av Current Ic:12A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Continuous Collector Current Ic Max:12A; Current Ic Continuous a Max:12A; Current Ic hFE:5A; Device Marking:BDV65B; Full Power Rating Temperature:25°C; Hfe Min:1000; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:125W; Transistor Type:Darlington; Voltage Vcbo:100V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г08.05.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector-emitter saturation voltage2(V)
configurationSingle
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector cut-off current400
mountingThrough Hole
number of elements1
operating temperature classificationMilitary
operating temp range-65C to 150C
package typeTO-247
packagingRail/Tube
партномер8022899037
pin count3+Tab
polarityNPN
power dissipation125(W)
rad hardenedNo
Время загрузки0:54:48
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль