BDP953H6327XTSA1, Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BDP953H6327XTSA1
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Infineon BDP953H6327XTSA1, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
300
+
Бонус: 6 !
Бонусная программа
Итого: 300
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Infineon BDP953H6327XTSA1 NPN Transistor, 3 A, 100 V, 3 + Tab-Pin SOT-223
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
collector- base voltage vcbo120 V
collector-emitter saturation voltage500 mV
collector- emitter voltage vceo max100 V
configurationSingle
continuous collector current3 A
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerInfineon
maximum collector base voltage120 V
maximum collector emitter voltage100 V
maximum dc collector current5 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation5 W
minimum dc current gain100
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / caseSOT-223-4
package typeSOT-223(SC-73)
packagingReel
партномер8022069959
part # aliases953 BDP H6327 SP000748526
pd - power dissipation5 W
pin count3+Tab
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
technologySi
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
Время загрузки3:22:21
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль