BD912, Trans GP BJT PNP 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BD912
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeБиполярный (BJT) транзистор PNP 100V 15A 3MHz 90W Through Hole TO-220AB
Дата загрузки | 18.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 1 |
Высота | 9.15 мм |
Информация о производителе | |
Производитель | STMicroelectronics |
Бренд | STMicroelectronics |
Основные | |
base product number | BD912 -> |
collector- base voltage vcbo | 100 V |
collector- base voltage vcbo: | 100 V |
collector-emitter saturation voltage: | 3 V |
collector- emitter voltage vceo max | 100 V |
collector- emitter voltage vceo max: | 100 V |
configuration | Single |
configuration: | Single |
current - collector cutoff (max) | 1mA |
current - collector (ic) (max) | 15A |
dc collector/base gain hfe min | 15 |
dc collector/base gain hfe min: | 15 |
dc current gain hfe max | 150 |
dc current gain hfe max: | 150 |
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 15 @ 5A, 4V |
eccn | EAR99 |
emitter- base voltage vebo | -5 V |
emitter- base voltage vebo: | 5 V |
factory pack quantity | 1000 |
factory pack quantity: factory pack quantity: | 1000 |
frequency - transition | 3MHz |
gain bandwidth product ft | 3 MHz |
gain bandwidth product ft: | 3 MHz |
height | 9.15 mm(Max) |
htsus | 8541.29.0095 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
length | 10.4 mm(Max) |
максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 2,5 В |
manufacturer | STMicroelectronics |
manufacturer: | STMicroelectronics |
maximum dc collector current | 15 A |
maximum dc collector current: | 15 A |
maximum operating temperature | +150 C |
maximum operating temperature: | +150 C |
minimum operating temperature | -65 C |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting style | Through Hole |
mounting style: | Through Hole |
mounting type | Through Hole |
operating temperature | 150В°C (TJ) |
other related documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
package | Tube |
package / case | TO-220-3 |
package/case: | TO-220-3 |
packaging | Tube |
packaging: | Tube |
партномер | 8003210548 |
pd - power dissipation | 90 W |
pd - power dissipation: | 90 W |
power - max | 90W |
product category | Bipolar Transistors-BJT |
product category: | Bipolar Transistors-BJT |
product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
reach status | REACH Unaffected |
rohs | Details |
rohs status | ROHS3 Compliant |
series | 500V Transistors |
series: | BD912 |
subcategory: | Transistors |
supplier device package | TO-220AB |
technology: | Si |
transistor polarity | PNP |
transistor polarity: | PNP |
transistor type | PNP |
vce saturation (max) @ ib, ic | 3V @ 2.5A, 10A |
voltage - collector emitter breakdown (max) | 100V |
Время загрузки | 14:00:52 |
width | 4.6 mm(Max) |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26