BD912, Trans GP BJT PNP 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BD912
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics BD912, Trans GP BJT PNP 100V 15A 90000mW ...
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота 9.15 мм
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeБиполярный (BJT) транзистор PNP 100V 15A 3MHz 90W Through Hole TO-220AB
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота 9.15 мм
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base product numberBD912 ->
collector- base voltage vcbo100 V
collector- base voltage vcbo:100 V
collector-emitter saturation voltage:3 V
collector- emitter voltage vceo max100 V
collector- emitter voltage vceo max:100 V
configurationSingle
configuration:Single
current - collector cutoff (max)1mA
current - collector (ic) (max)15A
dc collector/base gain hfe min15
dc collector/base gain hfe min:15
dc current gain hfe max150
dc current gain hfe max:150
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce15 @ 5A, 4V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo-5 V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity1000
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
frequency - transition3MHz
gain bandwidth product ft3 MHz
gain bandwidth product ft:3 MHz
height9.15 mm(Max)
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length10.4 mm(Max)
максимальное напряжение насыщения база-эмиттер2,5 В
manufacturerSTMicroelectronics
manufacturer:STMicroelectronics
maximum dc collector current15 A
maximum dc collector current:15 A
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleThrough Hole
mounting style:Through Hole
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
packageTube
package / caseTO-220-3
package/case:TO-220-3
packagingTube
packaging:Tube
партномер8003210548
pd - power dissipation90 W
pd - power dissipation:90 W
power - max90W
product categoryBipolar Transistors-BJT
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
series500V Transistors
series:BD912
subcategory:Transistors
supplier device packageTO-220AB
technology:Si
transistor polarityPNP
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
vce saturation (max) @ ib, ic3V @ 2.5A, 10A
voltage - collector emitter breakdown (max)100V
Время загрузки14:00:52
width4.6 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль