BD810G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BD810G
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.041
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
500
+
Бонус: 10 !
Бонусная программа
Итого: 500
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, BIPOL, PNP, 80V, TO-225-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:1.5MHz; Power Dissipation Pd:90W; DC Collector Current:-10A; DC Current Gain hFE:15hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.041
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector base voltage80 V
maximum collector emitter saturation voltage1.1@0.3A@3A V
maximum collector emitter voltage80 V
maximum dc collector current10 A
maximum operating frequency1.5(Min)MHz
maximum power dissipation90000 mW
minimum dc current gain30@2mA@2V|15@4A@2V
mountingThrough Hole
operating temperature-55 to 150 ?C
package3TO-220AB
packagingRail/Tube
партномер8002987902
pin count3
rad hardNo
typePNP
Время загрузки0:45:06
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль