BD681G, Darlington Transistors 4A 100V Bipolar Power NPN
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BD681G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Darlington TransistorsTrans Darlington NPN 100V 4A 40000mW 3-контактный (3 Tab) TO-225 Box
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.68 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| collector- base voltage vcbo | 100 V |
| collector- base voltage vcbo: | 100 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 100 V |
| collector- emitter voltage vceo max: | 100 V |
| configuration | Single |
| configuration: | Single |
| dc collector/base gain hfe min | 750 |
| dc collector/base gain hfe min: | 750 |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| emitter- base voltage vebo: | 5 V |
| eu rohs | Compliant |
| factory pack quantity | 500 |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 500 |
| height | 11.04 mm |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| lead shape | Through Hole |
| length | 7.74 mm |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| manufacturer: | onsemi |
| maximum collector base voltage (v) | 100 |
| maximum collector cut-off current | 200 uA |
| maximum collector cut-off current (ua) | 200 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 2.5 30mA 1.5A |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 100 |
| maximum continuous dc collector current (a) | 4 |
| maximum dc collector current | 4 A |
| maximum dc collector current: | 4 A |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 40000 |
| minimum dc current gain | 750 1.5A 3V |
| minimum operating temperature | -55 C |
| minimum operating temperature: | -55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Through Hole |
| mounting style | Through Hole |
| mounting style: | Through Hole |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | TO-225AA |
| package / case: | TO-225AA |
| packaging | Box |
| packaging: | Bulk |
| партномер | 8005368702 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pin count | 3 |
| ppap | No |
| product category | Darlington Transistors |
| product category: | Darlington Transistors |
| product type: | Darlington Transistors |
| rohs | Details |
| series | BD681 |
| series: | BD681 |
| subcategory: | Transistors |
| supplier package | TO-225 |
| tab | Tab |
| transistor polarity | NPN |
| transistor polarity: | NPN |
| type | NPN |
| Время загрузки | 0:56:56 |
| width | 2.66 mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
