BD676AG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BD676AG
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.71
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
420
+
Бонус: 8.4 !
Бонусная программа
Итого: 420
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANS, DARLINGTON, NPN, -45V, TO-225; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:-4A; DC Current Gain hFE:750hFE; Transistor Case Style:TO-225; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.71
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
base part numberBD676
current - collector cutoff (max)500ВµA
current - collector (ic) (max)4A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce750 @ 2A, 3V
frequency - transition-
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
package / caseTO-225AA, TO-126-3
packagingBulk
партномер8002972366
part statusActive
power - max40W
series-
supplier device packageTO-225AA
transistor typePNP-Darlington
vce saturation (max) @ ib, ic2.8V @ 40mA, 2A
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Время загрузки0:45:09
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль