BD438S, Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BD438S
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BD438S, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.76
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
250
+
Бонус: 5 !
Бонусная программа
Итого: 250
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.76
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft3МГц
collector- base voltage vcbo:45 V
collector-emitter saturation voltage:200 mV
collector emitter voltage max45В
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configuration:Single
continuous collector current
continuous collector current:-4 A
dc collector/base gain hfe min:30
dc current gain hfe min30hFE
dc усиление тока hfe30hFE
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
gain bandwidth product ft:3 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150°C
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:4 A
maximum operating temperature:+150 C
монтаж транзистораThrough Hole
mounting style:Through Hole
package / case:TO-126-3
packaging:Bulk
партномер8004832881
pd - power dissipation:36 W
полярность транзистораPNP
power dissipation36Вт
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:BD438
стиль корпуса транзистораTO-126
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки0:58:59
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль