BD437

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics BD437
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1.514
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
42
+
Бонус: 0.84 !
Бонусная программа
Итого: 42
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы и сборки биполярныеTRANSISTOR, NPN, TO-126; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:36W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:140hFE; Transistor Case Style:TO-126; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (17-Dec-2015); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):600mV; Continuous Collector Current Ic Max:4A; Current Ic Continuous a Max:4A; Current Ic hFE:2A; Device Marking:BD437; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:3MHz; Gain Bandwidth ft Typ:3MHz; Hfe Min:40; No. of Transistors:1; Power Dissipation Ptot Max:36W; Voltage Vcbo:45V
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1.514
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
automotiveNo
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
hts8541.29.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы-BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.130
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30
кол-во в упаковке50
конфигурацияSingle
lead shapeThrough Hole
максимальная рабочая температура+150 C
максимальное рассеяние мощности36 W
максимальный постоянный ток коллектора4 A
materialSi
maximum collector base voltage (v)45
maximum collector cut-off current (na)100000
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.6@0.2A@2A
maximum collector-emitter voltage (v)45
maximum dc collector current (a)4
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)36000
maximum transition frequency (mhz)3(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура-65 C
minimum dc current gain30@10mA@5V|85@500mA@1V|40@2A@1V
minimum operating temperature (°c)-65
mountingThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)45 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.2 V
непрерывный коллекторный ток4 A
number of elements per chip1
package height10.8(Max)
package length7.8(Max)
package width2.7(Max)
packagingTube
партномер8001788091
part statusNRND
pcb changed3
pin count3
полярность транзистораNPN
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)3 MHz
размер фабричной упаковки2000
rohsПодробности
серияBD437
standard package nameTO-126
supplier packageSOT-32
tabTab
торговая маркаSTMicroelectronics
typeNPN
упаковкаTube
упаковка / блокSOT-32
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки14:05:23
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль