BD242CG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BD242CG
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.05.2024
Высота15.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, PNP, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:25hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Alternate Case Style:SOT-78B; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):-1.2V; Continuous Collector Current Ic Max:3A; Current Ic Continuous a Max:3A; Current Ic hFE:1A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:3MHz; Gain Bandwidth ft Typ:3MHz; Hfe Min:25; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:40W
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.05.2024
Высота15.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- emitter voltage vceo max100 V
configurationSingle
continuous collector current3 A
dc current gain hfe min25 @ 1A @ 4 V
длина10.53 mm
emitter- base voltage vebo5 V
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
manufacturerON Semiconductor
maximum collector emitter voltage-90 V
maximum dc collector current3 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency3 MHz(Min)
maximum operating temperature150 C
maximum power dissipation40 W
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain25
minimum operating temperature-65 C
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)115 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.2 V
непрерывный коллекторный ток3 A
number of elements per chip1
package / caseTO-220
package typeTO-220
packagingTube
партномер8007021060
pd - рассеивание мощности40 W
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power dissipation40000 mW
productBipolar Small Signal Power
product categoryBipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)3 MHz
размер фабричной упаковки50
rohsNo
серияBD242C
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:45:14
Ширина4.83 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль