BD242B

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics BD242B
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.84
Высота9.15 mm
Высота 9.15 мм
Информация о производителе
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, PNP, -80V, -3A, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.84
Высота9.15 mm
Высота 9.15 мм
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base product numberBD242 ->
collector- emitter voltage vceo max-80 V
configurationSingle
continuous collector current3 A
current - collector cutoff (max)300ВµA
current - collector (ic) (max)3A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce25 @ 1A, 4V
dc усиление тока hfe10hFE
длина10.4 mm
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo-5 V
factory pack quantity1000
height9.15 mm(Max)
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
length10.4 mm(Max)
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
manufacturerSTMicroelectronics
maximum dc collector current-3 A
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура65 C
minimum operating temperature-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораThrough Hole
mounting styleThrough Hole
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
непрерывный коллекторный ток3 A
packageTube
package / caseTO-220AB-3
packagingTube
партномер8010585536
pd - power dissipation40 W
pd - рассеивание мощности40 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power dissipation40Вт
power - max2W
product categoryBipolar Transistors-BJT
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
seriesBD242
серияBD242
стиль корпуса транзистораTO-220
supplier device packageTO-220AB
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor polarityPNP
transistor typePNP
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220AB-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vce saturation (max) @ ib, ic1.2V @ 600mA, 3A
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Время загрузки14:02:56
Ширина4.6 мм
width4.6 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль