BD242B, 80V 2W 25@1A,4V 3A PNP TO220 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BD242B
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics BD242B, 80V 2W 25@1A,4V 3A PNP TO220 Bipolar ...
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота9.15 mm
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PNP General Purpose
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота9.15 mm
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base product numberBD242 ->
collector- emitter voltage vceo max-80 V
configurationSingle
continuous collector current
current - collector cutoff (max)300ВµA
current - collector (ic) (max)3A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce25 @ 1A, 4V
dc усиление тока hfe10hFE
длина10.4 mm
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo-5 V
factory pack quantity1000
height9.15 mm(Max)
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
length10.4 mm(Max)
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
manufacturerSTMicroelectronics
maximum dc collector current-3 A
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура65 C
minimum operating temperature-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораThrough Hole
mounting styleThrough Hole
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
непрерывный коллекторный ток3 A
packageTube
package / caseTO-220-3
packagingTube
партномер8022387130
pd - power dissipation40 W
pd - рассеивание мощности40 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power dissipation40Вт
power - max2W
product categoryBipolar Transistors-BJT
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
seriesBD242
серияBD242
стиль корпуса транзистораTO-220
supplier device packageTO-220AB
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor polarityPNP
transistor typePNP
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220AB-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vce saturation (max) @ ib, ic1.2V @ 600mA, 3A
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Время загрузки14:01:02
Ширина4.6 мм
width4.6 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль