Name: BD239C
Brand: ON Semiconductor***

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BD239C

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.5
Высота	9.4 mm
Высота	9.4 мм
Информация о производителе

Все характеристики

280 ₽

– +

Бонус: 5.6 !

Бонусная программа

Итого: 280 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементTRANS, NPN, 100V, 2A, 30W, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:30W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:15hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.5
Высота	9.4 mm
Высота	9.4 мм
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo	115 V
collector-emitter saturation voltage	0.7 V
collector emitter voltage max	100В
collector- emitter voltage vceo max	100 V
configuration	Single
continuous collector current	2 A
dc collector/base gain hfe min	15
dc current gain hfe min	15hFE
dc усиление тока hfe	15hFE
длина	10.1 mm
emitter- base voltage vebo	5 V
factory pack quantity	200
height	9.4 mm(Max)
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
количество выводов	3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	15
конфигурация	Single
length	10.1 mm(Max)
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	2 A
manufacturer	ON Semiconductor
maximum dc collector current	2 A
maximum operating temperature	+150 C
минимальная рабочая температура	65 C
minimum operating temperature	-65 C
монтаж транзистора	Through Hole
mounting style	Through Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	115 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.7 V
непрерывный коллекторный ток	2 A
package / case	TO-220-3
packaging	Bulk
партномер	8002986549
pd - power dissipation	30 W
pd - рассеивание мощности	30 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
power dissipation	30Вт
product category	Bipolar Transistors-BJT
размер фабричной упаковки	1200
rohs	Details
series	BD239C
серия	BD239C
стиль корпуса транзистора	TO-220
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
transistor polarity	NPN
unit weight	0.063493 oz
упаковка	Bulk
упаковка / блок	TO-220-3
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
вид монтажа	Through Hole
Время загрузки	0:45:17
Ширина	4.7 мм
width	4.7 mm(Max)

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)BD239C